Республиканская научно-практическая конференция на тему «Инновационные образовательные технологии в интеграции естественных наук: традиции и современность»

Данная конференция была включена в план научных и научно-технических мероприятий международного и республиканского уровня, проводимых в 2026 году, согласно приказу Министерства высшего образования, науки и инноваций № 11 от 16 января 2026 года. Конференция организована кафедрой естественных наук Наманганского государственного педагогического института 13–14 ноября 2026 года.

1+ Выпуски
50+ Статьи
81+ Участники
Oʻzbekcha

NIKEL BILAN MODIFIKATSIYALANGAN G’OVOKLI YARIMO’TKAZGICHLARNING MAGNIT-OPTIK XUSUSIYATLARI

Дата публикации
14.11.2026
Журнал
Республиканская научно-практическая конференция на тему «Инновационные образовательные технологии в интеграции естественных наук: традиции и современность»
Выпуск
Республиканская научно-практическая конференция «Инновационные образовательные технологии в интеграции естественных наук: традиции и современность»
Страницы
238-242
DOI
10.5281/zenodo.24185593

Авторы

Аннотация

Ushbu tezisda nikel (Ni) bilan legirlangan g‘ovakli yarimo‘tkazgichlarning fizik xususiyatlari tahlil qilinadi. Nikel atomlarining yarimo‘tkazgich tarkibiga kiritilishi natijasida yuzaga keladigan strukturaviy o‘zgarishlar, elektr, optik va magnit xususiyatlar o‘rganiladi. Legirlash jarayonining elektr o‘tkazuvchanlik, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi, energetik sathlar va optik yutilishga ta’siri ko‘rib chiqiladi. Olingan ilmiy natijalar asosida Ni bilan legirlangan g‘ovakli yarimo‘tkazgichlarning nanoelektronika, optoelektronika va magnit sensorlarda qo‘llash imkoniyatlari baholanadi.

Ключевые слова

nikel legirlash g‘ovakli yarimo‘tkazgich fizik xususiyatlar elektr o‘tkazuvchanlik optik xususiyatlar magnit xususiyatlar nanostruktura.

Версии на других языках

Русский
В данной тезисной работе анализируются физические свойства пористых полупроводников, легированных никелем (Ni). Исследуются структурные изменения, электрические, оптические и магнитные свойства, возникающие при введении атомов никеля в состав полупроводниковых материалов. Рассматривается влияние легирования на электропроводность, концентрацию носителей заряда, энергетические уровни и оптическое поглощение. Также оцениваются перспективы применения пористых полупроводников, легированных никелем, в наноэлектронике, оптоэлектронике и магнитных датчиках.
никель легирование пористый полупроводник физические свойства электропроводность оптические свойства магнитные
English
This thesis analyzes the physical properties of nickel (Ni)-doped porous semiconductors. Structural changes, electrical, optical, and magnetic properties resulting from the incorporation of nickel atoms into semiconductor materials are investigated. The effects of doping on electrical conductivity, charge carrier concentration, energy levels, and optical absorption are examined. Potential applications of Ni-doped porous semiconductors in nanoelectronics, optoelectronics, and magnetic sensors are also evaluated.
nickel doping porous semiconductor physical properties electrical conductivity optical properties magnetic properties nanostructure.

Список литературы

1. Granitzer P., Rumpf K., Poelt P., Reissner M. Magnetic Characteristics of Ni-Filled Luminescent Porous Silicon. Frontiers in Chemistry, 2019.
2. Dolgiy A. et al. Electrochemical deposition and characterization of Ni in mesoporous silicon. Journal of The Electrochemical Society, 2012.
3. Metal (Ni and Bi) coated porous silicon nanostructure, high-performance anode materials for lithium ion batteries. Journal of Alloys and Compounds, 2017.
4. Rumpf K., Granitzer P., Hilscher G., Albu M., Poelt P. Magnetically Interacting Low Dimensional Ni-Nanostructures within Porous Silicon // Microelectronic Engineering. – 2012. – Vol. 90. – P. 83–87. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.05.016
5. . Rumpf K., Granitzer P., Poelt P. Synthesis and Magnetic Characterization of Metal-Filled Double-Sided Porous Silicon Samples // Nanoscale Research Letters. – 2010. – Vol. 5. – P. 379–382. DOI: https://doi.org/10.1007/s11671-009-9492-6