Oʻzbekcha
MAPLE DASTURI YORDAMIDA SHOTTKI DIODIDA ELEKTRONLAR VA FONONLAR QIZISHINI POTENSIAL TO‘SIQ BALANDLIGIGA TA’SIRINI O‘RGANISH
Journal
Priority areas for applying artificial intelligence to pedagogical education
Issue
Priority areas for applying artificial intelligence to pedagogical education
Abstract
Shottki diodiga elektron va fononning qizishi katta toklarda kontakt qarshiligini oshiradi va potensial to‘siq balandligini pasaytiradi. Elektron va fononning qizishi termoelektron emissiyani kuchaytiradi, zaryad tashuvchilarni to‘xtatish uchun zarur bo‘lgan ichki maydonni kamaytiradi. Elektron va fonon harorati oshgani sayin to‘siq balandligi pasayadi, bu esa zaryad tashuvchini injeksiya qilish uchun zarur bo‘lgan kuchlanishning pasayishiga olib kelishi mumkin.
Keywords
Shottki diodi
kontakt qarshiligi
zaryad tashuvchi va fononning qizishi
zaryad tashuvchi va fonon harorati
potensial to‘siq balandligi
Русский
Разогрев электронов и фононов в диоде Шоттки приводит к увеличению контактного сопротивления при высоких токах и уменьшению высоты потенциального барьера. Разогрев электронов и фононов усиливает термоэлектронную эмиссию, уменьшая внутреннее поле, необходимое для блокировки носителей заряда. По мере повышения температуры электронов и фононов высота барьера уменьшается, что может привести к снижению напряжения, необходимого для инжекции носителей заряда.
Шоттки диод
контактное сопротивление
разогрева носителей заряда и фононов
температуры носителей заряда и фонона
высоты потенциального барьера
English
Heating of electrons and phonons in a Schottky diode increases contact resistance at high currents and reduces the potential barrier height. Heating of electrons and phonons enhances thermionic emission, reducing the internal field required to block charge carriers. As the electron and phonon temperature increases, the barrier height decreases, which can lead to a reduction in the voltage required for charge carrier injection.
Schottky diode
contact resistance
heating of charge carriers and phonons
temperatures of charge carriers and phonons
potential barrier height
1. Pascu R., Pristavu G., Oneata D., Stoian M., Romanitan C., Kusko M., Draghici F., and Brezeanu G. Romanian Journal of Information Science and Technology. Volume 26, Number 2, 2023, 181–192.
2. Tung R.T., Recent advances in Schottky barrier concepts. Materials Science and Engineering R: Reports 35(1–3), pp. 1–138, 2001. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(01)00037-7.
3. Cowley A.M., Titanium-silicon Schottky barrier diodes, Solid-State Electronics 13(4), pp. 403–414, 1970. https://doi.org/10.1016/0038-1101(70)90151-6.
4. Asil Ugurlu H., Cinar Demir K.C., and Coskun C. The effect of thermal annealing on Ti/p-Si Schottky diodes, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 32(11), pp. 15343–15351, 2021. https://doi.org/10.1007/s10854-021-06084-1.